М.Е. Левинштейн

Аватар пользователя М.Е. Левинштейн
Михаил
Ефимович
Левинштейн
Место работы, город: 
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, СПб
Степень: 
д.ф.-м.н
Должность, звание: 
г.н.с.
Публикации: 

T. T. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков,
J. W. Palmour «Нарушение нейтральности и возникновение S-образной
вольтамперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках.»
ФТП, 47 (3), стр. 302-309 (2013)

M E Levinshtein, S L Rumyantsev, M S Shur, T T Mnatsakanov, S.N. Yurkov,
Q J Zhang, A K Agarwal, L. Cheng, J W Palmour “Holding current and switch-on
mechanisms in 12 kV, 100 A 4H-SiC optically triggered thyristors”
Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 015008 (5pp)

В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, J. W. Palmour “Особенности стационарного распределения
носителей и тока удержания в SiC фототиристоре»
ФТП, 47 (1), стр. 118-123 (2013)

Natalia Shmidt, Andrew Greshnov, Anton Chernyakov, Michael Levinshtein,
Alexander Zakgeim, and Evgeniia Shabunina “Mechanisms behind efficiency droop and degradation
in InGaN/GaN LEDs”
phys. stat. solidi (c), v 10, n3, 332-334 (2013)

Evgeniia Shabunina, Nikita Averkiev, Anton Chernyakov, Michael Levinshtein,
Pavel Petrov, and Natalia Shmidt “Extended defect system as a main source of
non-radiative recombination in InGaN/GaN LEDs “
phys. stat. solidi (c), v 10, n3, 335-337 (2013)

S L Rumyantsev, M E Levinshtein, M S Shur, L. Cheng, A K Agarwal, J W Palmour
“High current (1300 A) optical triggering of 12 kV 4H-SiC thyristor”
Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 045016 (3pp)

 В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн,  П. А. Иванов, Q. J. Zhang, A K Agarwal, J. W. Palmour
" Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах"
ФТП, 47 (8), стр. 1071-1077 (2013)

T. T. Mnatsakanov, M. E. Levinshtein, A. G. Tandoev, S. N. Yurkov
 “Transport Phenomena in Intrinsic Semiconductors and Insulators at High Current Densities:
Suppression of the Broken Neutrality Drift”
Journ. Appl. Phys. 114, 064503 (2013)

V. S. Yuferev, M E Levinshtein, J W Palmour “Relationship between critical charge
density, holding current, and maximum current density in optically triggered silicon
carbide thyristors”
Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 105009 (6 pp)

S. L. Rumyantsev, D. Coquillat, R. Ribeiro, M. Goiran, W. Knap, M. S. Shur,
A. A. Balandin, M. E. Levinshtein “The effect of a transverse magnetic field
on 1/f noise in graphene”
Appl. Phys. Lett., 103, 2013, 173114 (4 pp)

 S L Rumyantsev, M E Levinshtein, M S Shur, L. Cheng, A. K. Agarwal, J. W. Palmour
“Optical triggering of high voltage (18 kV-class) 4H-SiC thyristors"
Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 125017 (4 pp)

 T. T. Mnatsakanov, S. N. Yurkov, M. E. Levinshtein, L. Cheng, and J. W. Palmour
“Specific features of switch-on processes in high voltage (18-kV-class)
optically triggered 4H-SiC thyristors”
Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 055005 (5 pp)

E.I. Shabunina, M.E. Levinshtein, N.M. Shmidt, P.A. Ivanov, J.W. Palmour.
1/f noise in forward biased high voltage 4H-SiC Schottky diodes.
Solid-State Electronics 96 (2014) 44–47

A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, N.A. Talnishnikh, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt
Low-frequency noise in diagnostics of power blue InGaN/GaN LEDs
Journal of Crystal Growth, 401, 302–304 (2014)

S L Rumyantsev, M E Levinshtein, T Saxena, M S Shur L Cheng, J W Palmour,
A Agarwal “Optical triggering of 4H-SiC thyristors (18 kV class) to high currents
in purely inductive load circuit”.
Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 115003 (4 pp)

Левинштейн М.Е., Шабунина Е. И., Шмидт Н. М. «Способ отбраковки мощных
светодиодов на основе InGaN/GaN. Патент RU 2523105 от 22 мая 2014 года.
Опубликован 20.07.2014 Бюл. №20.

S. N. Yurkov, T. T. Mnatsakanov, M. E. Levinshtein, L. Cheng,
and J. W. Palmour
"Specific features of gate current and different switch-on modes
in silicon carbide thyristors"
Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 125012 (7 pp)